SN74CBT6800CDWR

描述: SN74CBT6800C 具有 –2V 下冲保护的 5V、1:1 (SPST)、10 通道通用 FET 总线开关
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: SN74CBT6800CDWR
商品编号: C2674623
商品封装: SOIC-24-300mil
包装方式: 编带
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

商品概述

SN74CBT6800C是一款高速兼容TTL的FET总线开关，导通电阻低，可实现极小的传输延迟。该器件为10位总线开关，带有单个输出使能输入。当使能为低电平时，总线开关导通，A端口与B端口连通，允许端口间双向数据传输；当使能为高电平时，总线开关关断，A端口与B端口之间呈高阻状态。器件的A端口和B端口配备有源下冲保护电路，可检测下冲事件，保证开关维持正确关断状态；当使能为高电平或器件掉电时，B端口会通过等效10kΩ电阻预充电至用户可选的偏置电压BIASV，可最小化带电插入噪声，降低热插拔过程中的信号失真。该器件完全符合部分掉电应用规范，Ioff特性可保证器件掉电时不会有损坏性电流回流，掉电状态下保持端口隔离。为保证上电或掉电过程中器件处于高阻状态，可将使能端通过上拉电阻连接至VCC，电阻最小值由驱动器的灌流能力决定。

商品特性

A端口和B端口具备下冲保护功能，可承受最高-2V的下冲
B端口可通过偏置电压预充电，最小化带电插入和热插拔过程中的信号失真
支持PCI热插拔
支持双向数据流，传输延迟接近零
具备低导通电阻特性，导通电阻典型值为3Ω
具备低输入输出电容特性，关态输入输出电容典型值为5.5pF，可最小化负载效应与信号失真
数据和控制输入配备下冲钳位二极管
功耗低，ICC最大值为3μA
VCC工作范围为4V~5.5V
数据输入输出支持0~5V信号电平，包含0.8V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V
控制输入可由TTL或5V/3.3V CMOS输出驱动
Ioff特性支持部分掉电模式工作
锁存性能超过100mA，符合JESD 78 II类标准
ESD性能符合JESD 22测试标准，人体模型测试等级为2000V（A114-B II类），充电器件模型测试等级为1000V（C101）
提供DB、DBQ、DGV、DW、PW多种封装可选
电源电压额定范围-0.5V~7V，偏置电源电压额定范围-0.5V~7V，控制输入电压额定范围-0.5V~7V，开关输入输出电压额定范围-0.5V~7V
输入输出端口钳位电流-50mA，导通态开关电流±128mA，VCC或接地端连续电流±100mA
存储温度范围-65℃~150℃，不同封装热阻抗分别为：DB封装63℃/W，DBQ封装61℃/W，DGV封装86℃/W，DW封装46℃/W，PW封装88℃/W

应用领域

数字应用
模拟应用
PCI接口
内存交错
总线隔离
低失真信号门控

	属性	参数值
	商品目录	信号开关/编解码器/多路复用器
	类型	-
	电源极性	单电源
	工作电压	4V~5.5V
	输入数/输出数	-
	灌电流(IOL)	-

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	-
	工作温度	-40℃~+85℃
	传播延迟(tpd)	0.15ns@5V,50pF
	静态电流(Iq)	3uA
	功能特性	断电保护；热插拔保护；输出使能高阻