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STL125N10F8AG
N沟道 100V 125A
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- 描述
- 是一款100V N沟道增强型功率MOSFET，采用STripFET F8技术，具有增强的沟槽栅极结构。确保了极低导通电阻的卓越品质因数，同时降低内部电容和栅极电荷，实现更快、更高效的开关。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL125N10F8AG
- 商品编号
- C25810050
- 商品封装
- PowerFLAT5x6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 125A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 840pF |
商品概述
STL125N10F8AG是一款采用STripFET F8技术设计的100 V N沟道增强型功率MOSFET，具有增强型沟槽栅极结构。 它确保了卓越的品质因数，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，以实现更快、更高效的开关。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- MSL1等级
- 最高工作结温175 °C
- 100%雪崩测试
- 低栅极电荷Qg
- 可焊侧翼封装
应用领域
-汽车电机控制-电动出行