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ISL6420BIRZ-T7A实物图
  • ISL6420BIRZ-T7A商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ISL6420BIRZ-T7A

ISL6420BIRZ-T7A

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商品型号
ISL6420BIRZ-T7A
商品编号
C2658673
商品封装
QFN-20-EP(4x4)​
包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录DC-DC电源芯片
功能类型降压型
工作电压5.6V~28V
输出电流50mA
开关频率1.4MHz
属性参数值
工作温度-40℃~+85℃@(TA)
同步整流
输出通道数1
拓扑结构降压式
开关管(内置/外置)外置

商品概述

ISL6420B简化了高性能DC/DC降压转换器完整控制和保护方案的实现。它设计用于驱动同步整流降压拓扑中的N沟道MOSFET。ISL6420B将控制、输出调节、监控和保护功能集成在一个封装中。此外,该IC具有外部参考电压跟踪模式,适用于外部参考降压转换器应用和DDR端接电源,以及用于网络DC/DC转换器应用系统测试的电压裕度模式。

ISL6420B提供简单的单反馈环路电压模式控制,并具有快速瞬态响应。转换器的输出电压可以精确调节到低至0.6V。

工作频率可从100kHz到1.4MHz完全可调。高频操作提供了成本和空间节省的优势。

误差放大器具有15MHz的增益带宽积和6V/μs的摆率,能够为快速瞬态响应提供高转换器带宽。PWM占空比在瞬态条件下可以从0%到100%变化。通过选择ENSS引脚到地的电容值可以设置完全可调的PWM软启动。将ENSS引脚拉低可以禁用控制器。

ISL6420B监测输出电压,并在软启动序列完成且输出处于调节范围内时生成PGOOD(电源良好)信号。内置的过电压保护电路防止输出电压超过设定点的典型115%。通过监测上管MOSFET的rDS(ON)来提供过流条件下的保护,适当抑制PWM操作。这种方法简化了实现并提高了效率,无需使用电流检测电阻。

商品特性

  • 工作电压范围:
    • 4.5V 至 5.5V 输入
    • 5.5V 至 28V 输入
  • 0.6V 内部参考电压
    • ±2.0% 参考精度
  • 可通过电阻选择的开关频率
    • 100kHz 至 1.4MHz
  • 电压裕度和外部参考跟踪模式
  • 输出可吸收或提供电流
  • 无损、可编程过流保护
    • 使用上端MOSFET的rDS(ON)
  • 可编程软启动
  • 驱动N沟道MOSFET
  • 简单的单环路控制设计
    • 电压模式PWM控制
  • 快速瞬态响应
    • 高带宽误差放大器
    • 完全0%至100%占空比
  • 广泛的电路保护功能
    • PGOOD、过压、过流、关断
  • 启动时的二极管仿真,适用于预偏置负载应用
  • 提供20引脚QFN和QSOP封装
    • QFN (4x4) 封装
    • 符合JEDEC PUB95 MO-220 QFN标准的QFN
    • 四侧无引脚扁平封装
    • 产品外形
    • QFN近芯片级封装尺寸
    • 提高PCB效率,降低厚度
  • 无铅(符合RoHS标准)

应用领域

  • 微处理器/ASICs电源供应
  • 嵌入式控制器
  • DSP和核心处理器
  • DDR SDRAM总线终止
  • 以太网路由器和交换机
  • 高功率DC/DC调节器
  • 分布式DC/DC电源架构
  • 个人计算机外设
  • 外部参考降压转换器

数据手册PDF