我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
PE43712B-Z实物图
  • PE43712B-Z商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PE43712B-Z

9kHz-6GHz UltraCMOS RF数字步进衰减器

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
PE43712是一款50Ω、HaRPTM技术增强的7位RF数字步进衰减器(DSA),支持1.8V控制电压和扩展的工作温度范围至+105°C,适用于多种宽带无线应用。
商品型号
PE43712B-Z
商品编号
C2654160
商品封装
VFQFN-32-EP(5x5)​
包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录RF衰减器
频率范围9kHz~6GHz
功率-
属性参数值
阻抗50Ω
衰减值31.75dB
工作温度-40℃~+105℃

商品概述

PE43712是一款50Ω、采用HaRP技术增强的7位RF数字步进衰减器(DSA),支持从9kHz到6GHz的广泛频率范围。它具有无毛刺的衰减状态转换,支持1.8V控制电压和扩展的工作温度范围至+105℃,使其适用于许多宽带无线应用。

PE43712是与PE43601和PE43701引脚兼容的升级版本。集成的数字控制接口同时支持串行寻址和并行编程衰减值,包括在上电时设置初始衰减状态的能力。

PE43712覆盖了31.75dB的衰减范围,步进为0.25dB、0.5dB和1dB。它能够在4GHz以下保持0.25dB的单调性,在5GHz以下保持0.5dB的单调性,在6GHz以下保持1dB的单调性。此外,如果RF端口存在0VDC,则不需要外部阻隔电容。

PE43712是在pSemi的UltraCMOS工艺上制造的,这是一种基于蓝宝石衬底的绝缘体上硅(SOI)技术的专利变体。pSemi的HaRP技术增强提供了高线性和优异的谐波性能。这是UltraCMOS工艺的一个创新特性,结合了砷化镓(GaAs)的性能与传统CMOS的成本效益和集成度。

应用领域

  • 3G/4G无线基础设施
  • 地面移动无线电(LMR)系统
  • 点对点通信系统

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个3000个/圆盘

总价金额:

0.00

近期成交7