PE43712B-Z
9kHz-6GHz UltraCMOS RF数字步进衰减器
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- 描述
- PE43712是一款50Ω、HaRPTM技术增强的7位RF数字步进衰减器(DSA),支持1.8V控制电压和扩展的工作温度范围至+105°C,适用于多种宽带无线应用。
- 品牌名称
- pSemi(游隼半导体)
- 商品型号
- PE43712B-Z
- 商品编号
- C2654160
- 商品封装
- VFQFN-32-EP(5x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF衰减器 | |
| 频率范围 | 9kHz~6GHz | |
| 功率 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阻抗 | 50Ω | |
| 衰减值 | 31.75dB | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ |
商品概述
PE43712是一款50Ω、采用HaRP技术增强的7位RF数字步进衰减器(DSA),支持从9kHz到6GHz的广泛频率范围。它具有无毛刺的衰减状态转换,支持1.8V控制电压和扩展的工作温度范围至+105℃,使其适用于许多宽带无线应用。
PE43712是与PE43601和PE43701引脚兼容的升级版本。集成的数字控制接口同时支持串行寻址和并行编程衰减值,包括在上电时设置初始衰减状态的能力。
PE43712覆盖了31.75dB的衰减范围,步进为0.25dB、0.5dB和1dB。它能够在4GHz以下保持0.25dB的单调性,在5GHz以下保持0.5dB的单调性,在6GHz以下保持1dB的单调性。此外,如果RF端口存在0VDC,则不需要外部阻隔电容。
PE43712是在pSemi的UltraCMOS工艺上制造的,这是一种基于蓝宝石衬底的绝缘体上硅(SOI)技术的专利变体。pSemi的HaRP技术增强提供了高线性和优异的谐波性能。这是UltraCMOS工艺的一个创新特性,结合了砷化镓(GaAs)的性能与传统CMOS的成本效益和集成度。
应用领域
- 3G/4G无线基础设施
- 地面移动无线电(LMR)系统
- 点对点通信系统
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个3000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交7单
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