PE43508A-V
PE43508A-V
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- 描述
- PE43508是一款50Ω，基于HaRP技术的6位RF数字步进衰减器(DSA)，支持9kHz至55GHz的宽频带。该器件具有无毛刺的安全衰减状态过渡特性，支持1.8V控制电压和可选的Vss_ext旁路模式以提高杂散性能，适用于测试与测量、点对点通信系统和非常小的孔径终端(VSAT)。
- 品牌名称
- pSemi(游隼半导体)
- 商品型号
- PE43508A-V
- 商品编号
- C2654162
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | RF衰减器 | |
| 频率范围 | 9kHz~55GHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阻抗 | 50Ω | |
| 衰减值 | 0dB~31.5dB |
商品概述
PE43508是一款50Ω、采用HaRP技术增强的6位射频数字步进衰减器（DSA），支持9kHz至55GHz的宽频率范围。PE43508具有无干扰衰减状态转换功能，支持1.8V控制电压和可选的VSS_EXT旁路模式，以改善杂散性能，使其非常适合用于测试测量、点对点通信系统和甚小口径终端（VSAT）。 PE43508提供集成数字控制接口，支持衰减的串行可寻址和并行编程。PE43508以0.5dB和1dB步进覆盖31.5dB的衰减范围。它能够在高达55GHz的频率下保持0.5dB和1dB的单调性。此外，如果射频端口上存在0VDC，则无需外部隔直电容。 PE43508采用pSemi的UltraCMOS工艺制造，这是一种获得专利的绝缘体上硅（SOI）技术变体。 pSemi的HaRP技术增强功能可实现高线性度和出色的谐波性能。它是UltraCMOS工艺的一项创新特性，兼具砷化镓（GaAs）的性能以及传统CMOS的经济性和集成度。
商品特性
- 支持高达55GHz的宽带
- 无干扰衰减状态转换
- 灵活的0.5dB和1dB衰减步进，最大可达31.5dB
- 扩展至+105℃的工作温度
- 具有串行可寻址功能的并行和串行编程接口
- 倒装芯片裸片
应用领域
- 测试测量（T&M）
- 点对点通信系统
- 甚小口径终端（VSAT）