SN74SSTVF16859S8G3

这是一款13位转26位寄存缓冲器，设计用于VCC工作电压为2.3 V至2.7 V的场景。所有输入均为SSTL_2类型，除了LVCMOS复位（RESET）输入。所有输出为边沿控制LVCMOS电路，针对未端接DIMM负载优化。SN74SSTVF16859采用差分时钟（CLK和CLK）工作，数据在CLK上升沿和CLK下降沿交叉点锁存。该器件支持低功耗待机操作。当RESET为低电平时，差分输入接收器被禁用，允许未驱动（浮动）数据、时钟和参考电压VREF输入；此外，所有寄存器复位，所有输出被强制置低。LVCMOS RESET输入必须始终保持在有效的逻辑高或低电平。为了确保在提供稳定时钟之前寄存器输出处于确定状态，上电期间RESET必须保持低电平。RGQ封装的中心裸片焊盘必须连接到GND。

• PC1600、PC2100和PC2700工作电压范围为2.3 V 至 2.7 V
• PC3200（QFN封装）工作电压范围为2.5 V 至 2.7 V
• 比JEDEC标准SSTV16859在PC2700 DIMM应用同时开关时快600 ps
• 1对2输出，支持堆叠式DDR DIMM
• 输出边沿控制电路可最大限度降低未端接线路中的开关噪声
• 输出符合SSTL_2 I类规范
• 支持SSTL_2数据输入
• 差分时钟（CLK和CLK）输入
• RESET输入支持LVCMOS开关电平
• RESET输入可禁用差分输入接收器，复位所有寄存器并强制所有输出置低
• 引脚排列优化DIMM PCB布线
• 闩锁性能超过100 mA，符合JESD 78 II类标准
• ESD防护超过JESD 22标准:2000-V人体模型（A114-A）；200-V机器模型（A115-A）；1000-V充电器件模型（C101）

• PC2700 DIMM
• 堆叠式DDR DIMM