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UCC24612-1DBVT

UCC24612 1DBVT

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描述: 是用于标准和逻辑电平N沟道MOSFET功率器件的高性能同步整流器控制器和驱动器。通过实施接近理想的二极管仿真，可减少输出整流器的损耗，并间接减少初级侧损耗。漏极到源极 (VDS) 传感控制方案允许使用多个拓扑结构，例如有源钳位反激式、QR/DCM/CCM反激式和LLC等。集成特性可简化设计工作，使在各种频率下的应用中表现卓越
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: UCC24612-1DBVT
商品编号: C2650171
商品封装: SOT-23-5
包装方式: 编带
商品毛重: 0.06克(g)

商品参数

商品概述

UCC24612 是用于标准和逻辑电平 N 沟道 MOSFET 功率器件的高性能同步整流器控制器和驱动器。通过实施接近理想的二极管仿真，UCC24612 可减少输出整流器的损耗，并间接减少初级侧损耗。漏极到源极 (VDS) 传感控制方案允许 UCC24612 使用多个拓扑结构，例如有源钳位反激式、QR/DCM/CCM 反激式和 LLC 等。集成特性可简化设计工作，使 UCC24612 在各种频率下的应用中表现卓越。较宽的 VDD 和 VD 工作电压范围便于在输出电压高达 28V 的系统中轻松实施。通过自适应最短关闭时间可提高效率和抗噪能力。变体器件 UCC24612 - 1 和 UCC24612 - 2 具有不同的最短导通时间，以提高抗噪能力。通过比例栅极驱动器和连续导通模式 (CCM) 循环极限预关闭进一步增强了 CCM 模式下的稳健运行能力。 UCC24612 具有多个可提高效率的特性。具有较短传播延迟的快速比较器可减少开关损耗。9.5V 栅极驱动器钳位可降低 MOSFET 驱动损耗。频率相关待机模式可进一步降低待机功耗。这些特性可帮助 UCC24612 成为符合诸如美国能源部 (DoE) 第 VI 级和行为规范 (CoC) 第 2 级等严格效率标准的更大系统的一部分。 UCC24612 采用 SOT23 - 5 封装。

商品特性

支持有源钳位反激式、QR、DCM、CCM 反激式和 LLC 等各种拓扑
工作频率高达 1MHz（UCC24612 - 1 为 1MHz，UCC24612 - 2 为 800kHz）
宽 VDD 范围允许从 5V 至 28V 输出系统的直接偏置
具有比例栅极驱动器的 4A 灌电流、1A 拉电流栅极驱动器
自适应最短关闭时间，可提高抗噪能力
循环极限预关闭可提高 CCM 效率
高侧或低侧可配置
实现自动轻负载和睡眠模式管理，待机电流为 320μA
16ns 典型关闭传播延迟
9.5V 栅极驱动器钳位，可减少驱动损耗

应用领域

交流/直流适配器
USB Type - C 和电力输送交流适配器
服务器和电信电源
交流/直流辅助电源
具有高侧 SR 的反激式
具有低侧 SR 的反激式

	属性	参数值
	商品目录	同步整流控制器
	适用AC-DC架构	反激式；LLC
	是否内置MOS	非内置
	工作电压	4V~28V
	MOS耐压	230V
	开关频率	1MHz
	模式支持	CCM；QR；DCM

	属性	参数值
	静态电流(Iq)	920uA
	拉电流(IOH)	1A
	灌电流(IOL)	4A
	导通时间	375ns
	关断延时	16ns
	工作温度	-40℃~+125℃