STBP112CVDJ6F

STBP112器件可为高达+28 V的输入电压提供过压保护。其低RDS(on) N沟道MOSFET开关可根据中国工业和信息化部通信标准YD/T 1591 - 2006，保护连接到OUT引脚的系统免受直流电源故障的影响。 在输入过压情况下，该器件通过关断内部低RDS(on) N沟道MOSFET，立即断开直流电源，防止受保护元件损坏。 此外，该器件还会监测自身的结温，若结温超过规定限值，将关断内部MOSFET。 该器件可由微控制器控制，还能提供故障状态信息。

• 高达28 V的输入过压保护
• 集成高压N沟道MOSFET开关 - 低RDS(on)为165 mΩ
• 集成电荷泵
• 最大连续电流为2 A
• 热关断功能
• 软启动功能，可控制浪涌电流
• 使能输入（EN）
• 故障指示输出（FLT）
• IN输入ESD保护：±15 kV空气放电、±8 kV接触放电（带1 μF输入电容）、±2 kV HBM（独立器件）
• 某些过压选项符合中国通信标准YD/T 1591 - 2006（仅过压保护）
• 采用小巧的、符合RoHS标准的2×2×0.75 mm TDFN 8引脚带散热焊盘封装。

• 智能手机
• 数码相机
• PDA和掌上设备
• MP3播放器
• 低功耗手持设备。