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IQD063N15NM5CGATMA1
IQD063N15NM5CGATMA1
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IQD063N15NM5CGATMA1
- 商品编号
- C25579656
- 商品封装
- PG-TTFN-9
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 148A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 278W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 900pF |
商品特性
- 对称半桥
- 针对低电压驱动和电池供电应用进行优化
- 针对高性能开关电源进行优化
- N沟道
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 卓越的热阻
- 100%雪崩测试
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品