1N6372

此瞬态电压抑制器 (TVS) 系列，型号从 1N6358 到 1N6372，是经 JEDEC 注册的单向和双向器件选型。1N6358 至 1N6364 为单向器件，1N6366 至 1N6372 为双向器件，它们在各自的击穿电压 (VBR) 之上，均能提供极低的指定箝位系数，以实现最小箝位电压 (VC)。这些器件常用于保护敏感元件，使其免受电感开关瞬变或 IEC61000 - 4 - 5 标准中低浪涌水平下的感应二次雷击影响。由于其响应时间几乎是瞬间的，它们还能根据 IEC61000 - 4 - 2 和 IEC61000 - 4 - 4 标准防护静电放电 (ESD) 和电快速瞬变 (EFT)。

• 轴向封装的单向和双向 TVS 系列，适用于通孔安装。
• 在 10/1000 μs 条件下，可抑制高达 1500 瓦的瞬变。
• 箝位时间（从 0 伏到 V(BR) 最小值）：单向器件 – 小于 100 皮秒；双向器件 – 小于 5 纳秒。
• 工作电压 (VWM) 范围为 10 V 至 45 V。
• 低箝位系数（实际 VC/VBR 之比）：在满额定功率下为 1.33，在 50% 额定功率下为 1.20。
• 采用密封的 DO - 13 金属封装。
• 可提供参照 MIL - PRF - 19500 标准的筛选服务。
• 有符合 RoHS 标准的版本。

• 专为保护基于双极型和 MOS 微处理器的系统而设计。
• 防护开关瞬变和感应射频。
• 根据 IEC 61000 - 4 - 2 和 IEC 61000 - 4 - 4 标准防护 ESD 和 EFT。
• 根据 IEC61000 - 4 - 5 标准，在源阻抗为 42 欧姆时的二次雷击防护：1 类、2 类和 3 类：1N6358 至 1N6372；4 类：1N6358 至 1N6362 以及 1N6366 至 1N6370。根据 IEC61000 - 4 - 5 标准，在源阻抗为 12 欧姆时的二次雷击防护：1 类和 2 类：1N6358 至 1N6372；3 类：1N6358 至 1N6362 以及 1N6366 至 1N6370；4 类：1N6358 和 1N6366。根据 IEC61000 - 4 - 5 标准，在源阻抗为 2 欧姆时的二次雷击防护：2 类：1N6358 至 1N6361 以及 1N6366 至 1N6369；3 类：1N6358 和 1N6366。