1N6371

此1N6358至1N6372系列瞬态电压抑制器（TVS）是JEDEC注册产品，包含单向和双向器件。1N6358至1N6364为单向器件，1N6366至1N6372为双向器件，在各自的击穿电压（VBR）之上，它们均具有极低的指定箝位系数，可实现最小箝位电压（VC）。这些器件常用于保护敏感元件，防止其受到电感开关瞬变或IEC61000 - 4 - 5标准中低浪涌水平下的感应二次雷击影响。由于其响应时间几乎为瞬时，也可根据IEC61000 - 4 - 2和IEC61000 - 4 - 4标准防护静电放电（ESD）和电快速瞬变（EFT）。

• 轴向封装的单向和双向TVS系列，适用于通孔安装。
• 在10/1000 μs波形下可抑制高达1500瓦的瞬态功率。
• 箝位时间（从0伏到最小V(BR)）：单向器件 – 小于100皮秒；双向器件 – 小于5纳秒。
• 工作电压（VWM）范围为10 V至45 V。
• 低箝位系数（实际VC/VBR之比）：额定功率满载时为1.33，额定功率50%时为1.20。
• 采用密封DO - 13金属封装。
• 可提供符合MIL - PRF - 19500标准的筛选产品。
• 有符合RoHS标准的版本。

• 用于保护基于双极型和MOS微处理器的系统。
• 防护开关瞬变和感应射频干扰。
• 根据IEC 61000 - 4 - 2和IEC 61000 - 4 - 4标准防护ESD和EFT。
• 根据IEC61000 - 4 - 5标准进行二次雷击保护：源阻抗42欧姆时，1类、2类和3类：1N6358至1N6372；4类：1N6358至1N6362和1N6366至1N6370。源阻抗12欧姆时，1类和2类：1N6358至1N6372；3类：1N6358至1N6362和1N6366至1N6370；4类：1N6358和1N6366。源阻抗2欧姆时，2类：1N6358至1N6361和1N6366至1N6369；3类：1N6358和1N6366。如美高森美（Microsemi）“MicroNote 050”所述，具有固有抗辐射能力。