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23AA02M-I/ST
2Mbit SPI/SDI/SQI 143Mhz 串行 RAM 带可选电池备份
- 描述
- 是一款2 Mbit串行SRAM设备。通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问内存。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及单独的数据输入（SI）和数据输出（SO）线。通过片选（CS）输入控制对设备的访问。此外，如果应用需要更快的数据速率，还支持SDI（串行双接口）和SQI（串行四接口）。该设备还支持对内存阵列进行无限次读写。
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- 23AA02M-I/ST
- 商品编号
- C25255202
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 随机存取存储器(RAM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 上电/掉电/欠压数据保护功能 |
商品概述
Microchip Technology Inc. 的 23XX02M 是一款 2 Mbit 的串行 SRAM 器件。可通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线。通过片选（CS）输入控制对器件的访问。此外，如果应用需要更高的数据速率，还支持 SDI（串行双接口）和 SQI（串行四接口）。该器件还支持对存储阵列进行无限次读写。
商品特性
- 2048 Kbit 低功耗 SRAM
- 单电压读写操作
- 工作电压：23AA02M 为 1.7V 至 3.6V；23LCV02M 为 2.2V 至 3.6V
- 串行接口架构
- 兼容 SPI：模式 0 和模式 3
- 支持 SDI 和 SQI
- 高速时钟频率：143 MHz
- 卓越的可靠性
- 内置纠错码（ECC）逻辑
- 低功耗：SPI/SDI/SQI 模式下，活动读取电流最大为 3 mA（40 MHz、3.6V 时）；待机电流典型值为 70 μA（25°C 时）
- 无限次读写循环
- 支持外部电池备份（23LCV02M）
- 零写入时间
- 组织形式：256 x 8 位组织
- 用户可选择页面大小（32 字节或 256 字节）
- 支持字节、页面和顺序读写模式
- 支持的温度范围：工业级（I）为 -40°C 至 +85°C
- 符合 RoHS 标准，无卤素