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BSH201,215
1个P沟道 耐压:60V 电流:0.3A
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- 描述
- P沟道,-60V,-300mA
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BSH201,215
- 商品编号
- C282527
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.25Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 417mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 70pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
商品概述
P沟道、增强型、逻辑电平场效应功率晶体管。该器件具有低阈值电压和极快的开关速度，非常适合电池供电应用和高速数字接口。BSH201采用SOT23超小型表面贴装封装。
商品特性
- 低阈值电压
- 快速开关
- 逻辑电平兼容
- 超小型表面贴装封装
应用领域
- 电池供电应用
- 高速数字接口