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2N7002_R1_00001
1个N沟道 耐压:60V 电流:250mA
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- 描述
- 特性：RDS(ON)·VGS在10VDS、500mA时 = 5Ω。 RDS(ON)·VGS在4.5VDS、75mA时 = 7.5Ω。 先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 符合欧盟RoHS 2002/95/EC指令
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- 2N7002_R1_00001
- 商品编号
- C282260
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 700pC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
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