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PJA3415AE_R1_00001
P通道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:20V 电流:4.3A
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- 描述
- 特性：RDS(ON), VGS@-4.5V, ID@-4.3A < 50mΩ。 RDS(ON), VGS@-2.5V, ID@-4.0A < 58mΩ。 RDS(ON), VGS@-1.8V, ID@-2.4A < 73mΩ。 先进的沟槽工艺技术。 专为开关负载、PWM应用等设计。 ESD防护2KV HBM。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品。 符合IEC61249标准的绿色模塑料
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJA3415AE_R1_00001
- 商品编号
- C282373
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.283克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 73mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 907pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 栅源电压（VGS）为 -4.5V、漏极电流（ID）为 -4.3A 时，导通电阻（RDS(ON)）<50mΩ
- 栅源电压（VGS）为 -2.5V、漏极电流（ID）为 -4.0A 时，导通电阻（RDS(ON)）<58mΩ
- 栅源电压（VGS）为 -1.8V、漏极电流（ID）为 -2.4A 时，导通电阻（RDS(ON)）<73mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 静电放电（ESD）保护达 2KV 人体模型（HBM）
- 符合欧盟 RoHS 2011/65/EU 指令的无铅产品
- 符合 IEC61249 标准的环保模塑料
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