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DMG6601LVT-7
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:3.8A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持出色的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG6601LVT-7
- 商品编号
- C278728
- 商品封装
- TSOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 142mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 541pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 46pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
应用领域
- 背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器
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