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STGD3HF60HDT4
STGD3HF60HDT4
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGD3HF60HDT4
- 商品编号
- C278312
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.519克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 7.5A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 18A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.45V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@480V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 152pF | |
| 输出电容(Coes) | 14pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 3pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 11ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 60ns | |
| 导通损耗(Eon) | 19uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 12uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 85ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
该产品为IGBT器件。
商品特性
- 集电极电流计算公式为I_C(T_C) = (T_j(max) - T_C)/(R_thj-c × V_CE(sat)(max)(T_j(max), I_C(T_C)))（根据迭代公式计算）
- Eon是使用典型二极管时的开通能量；若IGBT封装中带有共封装二极管，则该二极管用作外部二极管，且IGBT与二极管处于相同温度（25℃和125℃）
- 关断能量包含集电极电流的拖尾部分
- 可用封装类型包括D²PAK（TO-263）、DPAK（TO-252）、TO-220FP和TO-220 type A