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G3R40MT12D
G3R40MT12D
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- 描述
- 特性：G3R SiC MOSFET技术。 卓越的QG x RDS(ON)品质因数。 低电容和低栅极电荷。 正常关断，最高可在175°C稳定运行。 快速可靠的体二极管。 高雪崩和短路耐用性。应用：太阳能逆变器。 电动汽车/混合动力汽车充电
- 品牌名称
- Navitas(纳微)
- 商品型号
- G3R40MT12D
- 商品编号
- C24789229
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 耗散功率(Pd) | 203W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 103nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.974nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 141pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ |