LF2190NTR

高压高速高低侧栅极驱动器，可驱动半桥配置的N沟道MOSFET和IGBT，逻辑输入兼容TTL和CMOS电平

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

品牌名称: Littelfuse(美国力特)
商品型号: LF2190NTR
商品编号: C24790161
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

LF2190N是一款高压、高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压技术使LF2190N的高端在高dV/dt条件下的自举操作中能够切换至600V。 LF2190N逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器，旨在实现最小的驱动器交叉导通。 LF2190N采用8引脚SOIC封装，工作温度范围为 -40°C至 +125°C。

商品特性

自举操作中的浮动高端驱动器，可达600V
以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET或IGBT
输出驱动器典型灌/拉电流能力为4.5A/4.5A
逻辑输入（HIN和LIN）具备3.3V驱动能力
带内部下拉的施密特触发逻辑输入
高端和低端驱动器具备欠压锁定（UVLO）功能
扩展温度范围：-40°C ~ +125°C

应用领域

电机控制
DC-DC转换器
AC-DC逆变器
D类功率放大器

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	4.5A
	拉电流(IOH)	4.5A
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	25ns

	属性	参数值
	下降时间(tf)	20ns
	传播延迟 tpLH	-
	传播延迟 tpHL	-
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	-
	输入低电平(VIL)	-
	静态电流(Iq)	75uA
	功能特性	欠压保护