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NTMFS2D3N04XMT1G
N沟道 耐压:40V 电流:111A
- 描述
- 特性：低导通电阻（RDS(on)），以最小化传导损耗。 低电容，以最小化驱动损耗。 小尺寸（5×6mm），紧凑设计。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：电机驱动。 电池保护
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS2D3N04XMT1G
- 商品编号
- C24511978
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.446154克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 111A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.03mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@60uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.1nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.421nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.015nF |
商品特性
- 适用于汽车应用的 OptiMOS™ 功率 MOSFET
- N 沟道 - 增强模式 - 标准电平
- 超出 AEC-Q101 的扩展认证
- 增强型电气测试
- 坚固耐用的设计
- 最高 260°C 峰值回流温度下的 MSL1 等级
- 175°C 工作温度
- 符合 RoHS 标准
- 100% 雪崩测试
应用领域
- 一般汽车应用。
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