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NTMFS2D5N08XT1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTMFS2D5N08XT1G

N沟道 耐压:80V 电流:181A

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描述
特性:低QRR,软恢复体二极管。 低RDS(on),以最小化传导损耗。 低QG和电容,以最小化驱动损耗。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂,且符合RoHS标准。应用:DC-DC和AC-DC中的同步整流。 隔离式DC-DC转换器中的初级开关
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTMFS2D5N08XT1G
商品编号
C24511979
商品封装
SO-8FL​
包装方式
袋装
商品毛重
0.195克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)181A
导通电阻(RDS(on))1.9mΩ@10V
耗散功率(Pd)148W
阈值电压(Vgs(th))3.6V@213uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12nC@10V
输入电容(Ciss)3.8nF
反向传输电容(Crss)17pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.1nF

商品特性

  • 常开模式
  • 国际标准封装
  • 模塑环氧树脂符合UL 94 V-0易燃性等级
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 高功率密度

应用领域

  • 音频放大器-启动电路-保护电路-斜坡发生器-电流调节器-有源负载

数据手册PDF