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NTMFS2D5N08XT1G
N沟道 耐压:80V 电流:181A
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- 描述
- 特性：低QRR，软恢复体二极管。 低RDS(on)，以最小化传导损耗。 低QG和电容，以最小化驱动损耗。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准。应用：DC-DC和AC-DC中的同步整流。 隔离式DC-DC转换器中的初级开关
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS2D5N08XT1G
- 商品编号
- C24511979
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.195克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 181A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 148W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.1nF |
商品特性
- 低反向恢复电荷(QRR)、软恢复体二极管
- 低导通电阻(RDS(on)),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷(QG)和电容,以最小化驱动损耗
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),并符合 RoHS 标准
应用领域
- 直流-直流(DC-DC)和交流-直流(AC-DC)中的同步整流(SR)
- 隔离式直流-直流转换器中的初级开关
- 电机驱动