IS42S16160L-6TLI

ISSI的256Mb同步动态随机存取存储器（SDRAM）采用流水线架构实现高速数据传输。所有输入和输出信号均参考时钟输入的上升沿。256Mb SDRAM的组织方式如下：

• IS42S83200L：8M x 8 x 4个存储体
• IS42S16160L：4M x 16 x 4个存储体

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V Vdd和3.3V Vddq的内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四存储体DRAM。每个67,108,864位的存储体组织为8,192行x 512列x 16位或8,192行x 1,024列x 8位。

256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的正沿进行寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容。

256Mb SDRAM能够以高数据速率同步突发传输数据，具有自动列地址生成功能，能够在内部存储体之间进行交错以隐藏预充电时间，并且能够在突发访问期间的每个时钟周期随机更改列地址。

启用自动预充电功能后，可在突发序列结束时启动自定时行预充电。在访问其他三个存储体之一时对一个存储体进行预充电，将隐藏预充电周期并提供无缝、高速、随机访问操作。

SDRAM的读写访问是面向突发的，从选定位置开始，并按照编程的序列继续访问编程数量的位置。激活命令的寄存开始访问，随后是读或写命令。激活命令与寄存的地址位一起用于选择要访问的存储体和行（BA0、BA1选择存储体；A0 - A12选择行）。读或写命令与寄存的地址位一起用于选择突发访问的起始列位置。

可编程的读或写突发长度包括1、2、4和8个位置或整页，并具有突发终止选项。

读命令从BA0、BA1输入选择存储体，并开始对活动行进行突发读访问。输入A0 - A9（x8）；A0 - A8（x16）提供起始列位置。当A10为高电平时，此命令用作自动预充电命令。选择自动预充电时，被访问的行将在读取突发结束时进行预充电。未选择自动预充电时，该行将保持打开状态以供后续访问。DQ的读取数据取决于两个时钟周期前DQM输入上的逻辑电平。当给定的DQM信号被寄存为高电平时，相应的DQ将在两个时钟周期后处于高阻态。当DQM信号被寄存为低电平时，DQ将提供有效数据。

写命令启动对活动行的突发写访问。BA0、BA1输入选择存储体，起始列位置由输入A0 - A9（x8）；A0 - A8（x16）提供。是否使用自动预充电由A10决定。如果选择自动预充电，被访问的行将在写入突发结束时进行预充电。如果未选择自动预充电，该行将保持打开状态以供后续访问。

• 时钟频率：200、166、143 MHz
• 完全同步；所有信号参考正时钟沿
• 内部存储体用于隐藏行访问/预充电
• 单电源：3.3V ± 0.3V
• LVTTL接口
• 可编程突发长度 – （1、2、4、8、整页）
• 可编程突发序列：顺序/交错
• 自动刷新（CBR）
• 自刷新
• 每个刷新周期8K次刷新循环
• 每个时钟周期随机列地址
• 可编程CAS延迟（2、3个时钟）
• 突发读/写和突发读/单写操作能力
• 通过突发停止和预充电命令终止突发