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JCS1SN60VC-IPAK
N沟道MOSFET,电流:1.2A,耐压:600V
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- 描述
- N沟道增强型场效应晶体管
- 品牌名称
- 吉林华微
- 商品型号
- JCS1SN60VC-IPAK
- 商品编号
- C272508
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5Ω@10V,0.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 30W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 319pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.4pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(80个/管，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个80个/管
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