温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

JCS4N65FB-220MF

1个N沟道耐压:650V 电流:4A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: N沟道 650V 4A
品牌名称: 吉林华微
商品型号: JCS4N65FB-220MF
商品编号: C272522
商品封装: TO-220F-3
包装方式: 管装
商品毛重: 3.158克(g)

商品参数

商品概述

这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。与具有类似漏源导通电阻（RDS(ON)）规格的其他MOSFET相比，这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。其结果是，该MOSFET易于驱动且驱动更安全（即使在非常高的频率下），并且能够实现整体效率更高的DC/DC电源设计。

商品特性

7.6 A、80 V。在栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 0.029 Ω
在栅源电压（VGS） = 6 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 0.033 Ω
低栅极电荷（典型值34 nC）
快速开关速度
采用高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）
高功率和电流处理能力

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	4A
	导通电阻(RDS(on))	2.4Ω@10V
	耗散功率(Pd)	51.7W
	阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	16.3nC@10V
	输入电容(Ciss)	900pF
	反向传输电容(Crss)	12pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	配置	-
	输出电容(Coss)	124pF