JCS4N65FB-220MF
1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
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- 描述
- N沟道 650V 4A
- 品牌名称
- 吉林华微
- 商品型号
- JCS4N65FB-220MF
- 商品编号
- C272522
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.158克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 51.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 124pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。 与具有类似漏源导通电阻(RDS(ON))规格的其他MOSFET相比,这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 其结果是,该MOSFET易于驱动且驱动更安全(即使在非常高的频率下),并且能够实现整体效率更高的DC/DC电源设计。
商品特性
- 低栅极电荷
- 低 Crss (典型值 2.83pF)
- 开关速度快
- 产品全部经过雪崩测试
- 高抗 dv/dt 能力
- RoHS 产品
应用领域
-高频开关电源-电子镇流器-UPS 电源-高效开关模式电源-基于半桥的电子灯镇流器-UPS
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