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HP640
200V N沟道 MOSFET,电流:18A,耐压:200V
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- 描述
- N沟道,200V 18A
- 品牌名称
- HL(豪林)
- 商品型号
- HP640
- 商品编号
- C271446
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 120mΩ@10V,9A | |
| 功率(Pd) | 63.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.318nF | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 75pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 开关模式电源 (SMPS)
- 不间断电源 (UPS)
- 功率因数校正 (PFC)
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