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SM4307PSKC-TRG
P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:30V 电流:11A
- 描述
- 特性：30V/-11A，RDS(ON) = 18mΩ (max.)@VGS = 10V，RDS(ON) = 30mΩ (max.)@VGS = 4.5V。 可靠耐用，有符合RoHS标准的无铅环保器件。应用：笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理
- 品牌名称
- Sinopower(大中)
- 商品型号
- SM4307PSKC-TRG
- 商品编号
- C271258
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.229克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 210pF |
商品特性
- -30V/-11A
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) = 18 mΩ（最大值）
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) = 30 mΩ（最大值）
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件（符合RoHS标准）
应用领域
- 笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理。
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