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IAUCN10S7N021ATMA1
100V汽车级功率MOSFET
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- 描述
- 特性：适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET，N沟道。 增强模式。 正常电平。 超出AEC-Q101的扩展认证。 增强型电气测试。 稳健设计。应用：一般汽车应用
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUCN10S7N021ATMA1
- 商品编号
- C23873167
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.385克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 220A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 217W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V@130uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.153nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.98nF |
商品概述
专为频率高达175 MHz的宽带商业应用而设计。该器件的高功率、高增益和宽带性能特别适用于调频广播或电视频道频段固态发射机和放大器。
商品特性
~~- 低热阻-在额定输出功率下进行耐用性测试-采用氮化物钝化芯片,提高可靠性
应用领域
- 调频广播-电视频道频段固态发射机-电视频道频段放大器
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