ISG0614N06NM5HSCATMA1
N沟道,电流:233A,耐压:60V
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISG0614N06NM5HSCATMA1
- 商品编号
- C23875207
- 商品封装
- PGWHITFN-10
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 233A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 167W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 6.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 81pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.44nF |
商品特性
- 对称半桥
- 针对低电压驱动和电池供电应用进行优化
- 针对高性能开关电源(SMPS)进行优化
- N沟道
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的热阻性能
- 100%经过雪崩测试
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
应用领域
- 电机驱动
- 电池保护
- 或门二极管应用