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SCT025W120G3AG
碳化硅功率MOSFET器件
- 描述
- 这款碳化硅功率MOSFET器件采用先进的第三代SiC MOSFET技术开发。该器件在整个温度范围内具有极低的导通电阻RDS(on)，结合低电容和非常高的开关操作，可提高应用在频率、能源效率、系统尺寸和重量方面的性能。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- SCT025W120G3AG
- 商品编号
- C23657861
- 商品封装
- HIP-247
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 56A | |
| 耗散功率(Pd) | 388W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 73nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.99nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+200℃ | |
| 输出电容(Coss) | 102pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ |