温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSS123
100V N沟道增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：VDS = 100V，ID = 0.17A。 RDS(ON) < 10Ω，VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 6Ω，VGS = 10V。 ESD 等级：HBM 2000V。 高功率和电流处理能力。 获得无铅产品认证。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- BSS123
- 商品编号
- C23661579
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.066克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@4.5V；6Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 73pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.4pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 7pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 100V,漏极电流(ID) = 0.17A
- 栅源电压(VGS) = 4.5V 时,导通电阻(RDS(ON)) < 10 Ω
- 栅源电压(VGS) = 10V 时,导通电阻(RDS(ON)) < 6 Ω
- 静电放电(ESD)等级:人体模型(HBM)2000V
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- 直接逻辑电平接口:晶体管 - 晶体管逻辑(TTL)/互补金属氧化物半导体(CMOS)
- 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤击器、显示器、存储器、晶体管等
- 电池供电系统
- 固态继电器