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IMBG65R007M2HXTMA1
650V CoolSiC MOSFET G2
- 描述
- 基于英飞凌强大的第二代碳化硅沟槽技术，可提供无与伦比的性能、卓越的可靠性和出色的易用性。它实现了经济高效、高效且简化的设计，以满足不断增长的系统和市场需求。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMBG65R007M2HXTMA1
- 商品编号
- C23402827
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 238A | |
| 耗散功率(Pd) | 789W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 179nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.359nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 613pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ |