温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.29nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 406pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 国际标准封装
- 雪崩额定
- 低封装电感
- 快速本征整流器
- 175°C工作温度
- 高电流处理能力
- 符合ROHS标准
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(on)
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
应用领域
- 汽车发动机控制
- 同步降压转换器(用于笔记本系统电源和通用负载点)
- DC/DC转换器
- 大电流开关应用
- 动力总成管理
- 分布式电源架构