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6G03L
N沟道+P沟道 耐压:30V 电流:9A
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- 描述
- N+PMOSFET类型:N漏源电压(Vdss) (V):30 阈值电压VGS:±20 Vth(V):1.0～2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):18/25 连续漏极电流ID(A):6A N+PMOSFET类型:P漏源电压(Vdss) (V):-30 阈值电压VGS:±20 Vth(V):-1.0～-2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):36/50 连续漏极电流ID(A):-6A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 6G03L
- 商品编号
- C23377921
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0457克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 370pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 54pF |
商品概述
WSF85P06是高性能沟槽 P 沟道 MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WSF85P06符合 RoHS 和绿色产品要求，100%通过耐雪崩测试（EAS），并经过全面功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 100%保证抗雪崩能力
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 用于移动主板（MB）、笔记本电脑（NB）、超便携个人电脑（UMPC）、显卡（VGA）的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流 - 直流电源系统
- 冷阴极荧光灯管（CCFL）背光源逆变器
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