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S150N03D
耐压:30V 电流:150A
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- 描述
- 平面沟槽MOSFET类型:N漏源电压(Vdss) (V):30 阈值电压VGS:±20 Vth(V):1.2～2.2导通电阻RDS(ON) (mΩ):1.4/2.1 连续漏极电流ID(A):150A
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- S150N03D
- 商品编号
- C23377922
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.10794克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 66W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.554nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 73.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 924pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
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