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IAUCN04S6N017TATMA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IAUCN04S6N017TATMA1

OptiMos6汽车级功率MOSFET,40 V

描述
特性:用于汽车应用的功率MOSFET。 N沟道。 增强模式。 正常电平。 超出AEC-Q101的扩展认证。 增强型电气测试。应用:一般汽车应用
商品型号
IAUCN04S6N017TATMA1
商品编号
C23258489
商品封装
LHDSO-10​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)200A
导通电阻(RDS(on))2.05mΩ@7V
耗散功率(Pd)103W
阈值电压(Vgs(th))3V@40uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)49nC@10V
输入电容(Ciss)3.25nF
反向传输电容(Crss)63pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)975pF

商品特性

  • N沟道,常电平
  • 极低的导通电阻RDS(on)
  • 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(品质因数FOM)
  • 极低的反向恢复电荷(Qrr)
  • 高雪崩能量额定值
  • 工作温度达175°C
  • 针对高频开关和同步整流进行优化
  • 引脚无铅电镀;符合RoHS标准
  • 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
  • 根据J-STD-020标准为1级湿敏等级

数据手册PDF