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IX4352NETR
低侧栅极驱动器，适用于SiC MOSFET和高功率IGBT，具备独立源极和漏极输出、去饱和检测等保护功能
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- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IX4352NETR
- 商品编号
- C23260647
- 商品封装
- SOIC-16-EP
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.63克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边 | |
| 负载类型 | MOSFET、IGBT | |
| 灌电流(IOL) | 9A | |
| 拉电流(IOH) | 9A | |
| 工作电压 | 13V~25V | |
| 上升时间(tr) | 10ns | |
| 下降时间(tf) | 10ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 70ns | |
| 传播延迟 tpHL | 65ns | |
| 特性 | 过流保护(OCP)；欠压保护(UVP)；过热保护(OTP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2.2V | |
| 输入低电平(VIL) | 1V | |
| 静态电流(Iq) | 2.9mA |
商品概述
该栅极驱动器专为驱动碳化硅MOSFET和高功率IGBT而设计。独立的9A源极和漏极输出允许定制导通和关断时序，同时最大限度地降低开关损耗。内部负电荷调节器提供用户可选的负栅极驱动偏置，以提高dV/dt抗扰度和实现更快关断。去饱和检测电路可感知碳化硅MOSFET的过流状况并启动软关断，从而防止潜在的破坏性dV/dt事件。非反相逻辑输入IN兼容TTL和CMOS电平；内部电平移位器提供必要的偏置以适应负栅极驱动偏置电压。其他保护功能包括欠压锁定检测和热关断。开漏FAULT输出可将故障状态信号传递给微控制器。该驱动器采用热增强型16引脚窄体SOIC封装。
商品特性
- 独立的9A峰值源极和漏极输出
- 工作电压范围：VDD - VSS 高达35V
- 内部电荷泵调节器，用于可选负栅极驱动偏置
- 具有软关断漏极驱动器的去饱和检测
- 兼容TTL和CMOS输入
- 欠压锁定
- 热关断
- 开漏FAULT输出
应用领域
- 车载充电器
- DC-DC转换器
- 电动汽车充电站
- 电机控制器
- 功率逆变器