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SL60N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:60A
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- 描述
- 特性：VDS = 60V，ID = 60A。 RDS(ON) < 11.5mΩ @ VGS = 10V (Typ: 9.1mΩ)。 高密度单元设计，实现超低Rdson。 完全表征雪崩电压和电流。 具有高EAs，稳定性和均匀性良好。 出色的封装，利于散热。应用：电源开关应用。 硬开关和高频电路
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL60N06
- 商品编号
- C253903
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.35nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 205pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 60A
- 栅源电压（VGS） = 10V 时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 11.5 mΩ（典型值：9.1 mΩ）
- 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻（Rdson）
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高单脉冲雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
- 采用特殊工艺技术，具备高静电放电（ESD）能力
应用领域
- 电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源
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