MX25L6445EMI-10G/TR
64M位CMOS串行多I/O闪存存储器
- 描述
- 特性:与串行外设接口兼容,支持模式0和模式3。64Mb:具有67,108,864 x 1位结构或33,554,432 x 2位(双I/O模式)结构或16,777,216 x 4位(四I/O模式)结构。2048个相等的扇区,每个扇区4K字节,任何扇区可单独擦除。256个相等的块,每个块32K字节,任何块可单独擦除
- 品牌名称
- MXIC(旺宏电子)
- 商品型号
- MX25L6445EMI-10G/TR
- 商品编号
- C23076977
- 商品封装
- SOP-16-300mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.754609克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 64Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 104MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 50uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 页写入时间(Tpp) | 5ms | |
| 块擦除时间(tBE) | 700ms@(64KB) | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 功能特性 | 硬件写保护;绝对写保护;写使能锁存;软件写保护;上电复位 |
- MX25V80066ZUI02-TR
- GT-A2501WRS-102SBT01
- GT-A2501WRS-103SBT01
- GT-A2501WRS-104SBT01
- GT-A2501WRS-105SBT01
- GT-A2501WRS-106SBT01
- GT-A2501WRS-107SBT01
- GT-A2501WRS-108SBT01
- GT-A2501WVS-102SBT01
- GT-A2501WVS-103SBT01
- GT-A2501WVS-104SBT01
- GT-A2501WVS-105SBT01
- GT-A2501WVS-106SBT01
- GT-A2501WVS-107SBT01
- GT-A2501WVS-108SBT01
- GT-A2501WVD-102SBT01
- GT-A2501WVD-103SBT01
- GT-A2501WVD-104SBT01
- GT-A2501WVD-105SBT01
- GT-A2501WVD-106SBT01
- GT-A2501WVD-107SBT01
