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MX25V80066ZUI02-TR

串行NOR闪存，支持多I/O接口，采用CMOS技术

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品牌名称: MXIC(旺宏电子)
商品型号: MX25V80066ZUI02-TR
商品编号: C23076993
商品封装: USON-8(2x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 1.28克(g)

商品参数

	属性	参数值
	写周期时间(Tw)	5ms
	页写入时间(Tpp)	730us
	块擦除时间(tBE)	620ms@(64KB)
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	硬件写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位

商品概述

MX25V80066是一款8Mb位串行NOR闪存，内部配置为1,048,576 x 8。该器件采用串行外设接口和软件协议，在单I/O模式下可在简单的3线总线上运行。三条总线信号是时钟输入、串行数据输入和串行数据输出。通过CS#输入使能对器件的串行访问。在双I/O读取模式下，SI引脚和SO引脚变为SIO0引脚和SIO1引脚，用于地址/哑元位输入和数据输出。MX25V80066 MXSMIO®提供对整个芯片的顺序读取操作。发出编程/擦除命令后，将执行自动编程/擦除算法，对指定的页或扇区/块位置进行编程/擦除和验证。编程命令以字节、页或字为单位执行。擦除命令以4K字节扇区、32KB块、64K字节块或整个芯片为单位执行。状态寄存器便于用户检测芯片状态，通过状态读取命令和WIP位可检测编程或擦除操作的完成状态。先进的安全特性增强了保护和安全性功能。该器件采用专有的存储单元，在典型的100,000次编程和擦除周期后仍能可靠存储内容。

商品特性

支持串行外设接口——模式0和模式3
8,388,608 x 1位结构或4,194,304 x 2位结构
每个扇区4K字节，每个块32K字节或64K字节，可单独擦除任何块
单电源供电操作
工作电压：2.3V-3.6V，用于读取、擦除和编程操作
抗闩锁保护，电流达100mA，电压范围从-1V至Vcc+1V
高性能：快速读取，单I/O模式下80MHz（8个哑元周期），双I/O模式下80MHz（8个哑元周期，等效于160MHz）
快速编程和擦除时间
低功耗
典型100,000次擦除/编程周期
20年数据保存期
输入数据格式：1字节命令码
先进的安全特性：块锁定保护，BP0-BP3状态位定义受软件保护区域的大小
自动擦除和自动编程算法：自动擦除并验证选定扇区或块的数据，自动编程并验证选定页的数据
状态寄存器功能
电子识别：JEDEC 1字节制造商ID和2字节器件ID，RES命令用于1字节器件ID，REMS命令用于1字节制造商ID和1字节器件ID
支持串行闪存可发现参数模式
支持ID
硬件特性：串行时钟输入，串行数据输入或用于2×I/O读取模式的串行数据输入/输出，串行数据输出或用于2×I/O读取模式的串行数据输入/输出，硬件写保护
封装：8引脚SOP，8引脚SOP，8焊盘USON，8焊盘WSON
所有器件均符合RoHS标准且无卤素

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	8Mbit
	时钟频率(fc)	80MHz
	工作电压	2.3V~3.6V
	待机电流	2uA
	擦写寿命	100000次