1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
- 10+: ¥0.263301 / 个
- 100+: ¥0.210377 / 个
- 300+: ¥0.183914 / 个
- 3000+: ¥0.164067 / 个 (折合1圆盘492.2元)
- 6000+: ¥0.14819 / 个 (折合1圆盘444.57元)
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¥0.183914 / 个 |
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¥0.164067 / 个 (折合1圆盘492.2元) |
6000+: |
¥0.14819 / 个 (折合1圆盘444.57元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
功率(Pd) | 1.4W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 65mΩ@10V,4.1A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |