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SLVU2.8-8.TBT

EPD TVS二极管阵列用于ESD和闩锁保护

描述: 瞬态电压抑制器系列旨在保护低电压、先进的CMOS半导体，免受静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）、雷击和其他感应电压浪涌引起的瞬态影响。该器件采用专有EPD工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比，EPD工艺可提供低截止电压，同时显著降低泄漏电流和电容。其特点是集成了低电容补偿二极管，可将每行的最大电容降至8pF
品牌名称: SEMTECH
商品型号: SLVU2.8-8.TBT
商品编号: C248435
商品封装: SO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.106克(g)

商品参数

商品概述

SLV系列瞬态电压抑制器旨在保护低压、先进的CMOS半导体免受静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）、雷击和其他感应电压浪涌引起的瞬态影响。这些器件采用Semtech专有的EPD工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比，EPD工艺提供低关断电压，同时显著降低漏电流和电容。SLVU2.8 - 8具有集成的低电容补偿二极管，可将每行的最大电容降至8pF。结合低漏电流，这意味着在10/100以太网等高速应用中能够保持信号完整性。 SLVU2.8 - 8采用SO - 8封装，可用于保护四对高速线路。该器件的布局可将走线电感降至最低，并减少与ESD事件相关的电压过冲。SLVU2.8 - 8的低钳位电压可将受保护IC的应力降至最低。 SLV系列TVS二极管符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）、IEC 61000 - 4 - 5（雷击）和ETSI ETS 300 386的浪涌要求。

商品特性

600瓦峰值脉冲功率（tp = 8 / 20μs）
高速数据线的瞬态保护，符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）15kV（空气）、8kV（接触），IEC 61000 - 4 - 4（EFT）40A（tp = 5 / 50ns），IEC 61000 - 4 - 5（雷击）24A（tp = 8 / 20μs）
保护四对线路（八条线路）
全面的引脚排列，便于电路板布局
低电容
高峰值脉冲电流（30A，8/20μs）
低漏电流
低工作电压和钳位电压
固态EPD TVS工艺技术

应用领域

10/100以太网
广域网/局域网设备
交换系统
数字用户线路接入复用器（DSLAM）
台式机、服务器和笔记本电脑
仪器仪表
基站
模拟输入

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	反向截止电压(Vrwm)	2.8V
	钳位电压	17V
	峰值脉冲电流(Ipp)	30A@8/20us
	峰值脉冲功率(Ppp)	600W

	属性	参数值
	击穿电压	3V
	反向电流(Ir)	100nA
	防护等级	IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2
	类型	TVS
	Cj-结电容	8pF