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WSR110N20
N沟道 耐压:200V 电流:110A
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- 描述
- N沟道 200V 110A，可应用于适配器、电源、医疗设备、工控设备、LED控制器、PD、大家电、音响设备、无人机、电机、BMS
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSR110N20
- 商品编号
- C22751513
- 商品封装
- TO-220-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.746克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 166.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 146nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 390pF |
商品概述
WSR110N20是一款高性能的沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,大多数器件都能提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷,适用于电池保护或其他开关应用。 WSR110N20符合RoHS标准和绿色产品要求,100%保证具有抗雪崩能力(EAS),且通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%保证抗雪崩能力(EAS)
- 提供绿色环保器件
应用领域
-直流电机驱动器-DC/DC同步整流-AC/DC转换器