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WSF3015
N沟道+P沟道 耐压:30V 电流:22A
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- 描述
- N+P沟道 30V/-30V 22A/-19A，可应用于电子烟、无线充、电机、应急电源、无人机、医疗、车充、控制器、数码产品、小家电、消费类电子
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSF3015
- 商品编号
- C22751515
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.406克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 18W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 930pF |
商品概述
WSF3015是高性能沟槽型N沟道和P沟道MOSFET,具备极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSF3015符合RoHS标准和绿色产品要求,100%保证具有抗雪崩能力(EAS),且经过全面的可靠性测试。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的dv/dt效应抑制能力
- 100%保证抗雪崩能力(EAS)
- 有绿色环保器件可选
应用领域
- 用于移动电脑(MB)、笔记本电脑(NB)、超便携个人电脑(UMPC)、显卡(VGA)的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流 - 直流电源系统
- 冷阴极荧光灯管(CCFL)背光逆变器