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NTMFS3D5N08XT1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NTMFS3D5N08XT1G

N沟道,标准栅极MOSFET

描述
特性:低 QRR,软恢复体二极管。 低 RDS(on),以最小化传导损耗。 低 QG 和电容,以最小化驱动损耗。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂,且符合 RoHS 标准。应用:直流-直流和交流-直流中的同步整流 (SR)。 隔离式直流-直流转换器中的初级开关
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTMFS3D5N08XT1G
商品编号
C22708856
商品封装
SO-8FL​
包装方式
编带
商品毛重
0.37克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)135A
导通电阻(RDS(on))3mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)119W
阈值电压(Vgs(th))3.6V
栅极电荷量(Qg)38nC@10V
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

商品特性

  • 低反向恢复电荷(QRR)、软恢复体二极管
  • 低导通电阻(RDS(on)),以最小化传导损耗
  • 低栅极电荷(QG)和电容,以最小化驱动损耗
  • 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),并符合RoHS标准

应用领域

  • 直流-直流(DC-DC)和交流-直流(AC-DC)中的同步整流(SR)
  • 隔离式直流-直流(DC-DC)转换器中的初级开关
  • 电机驱动

数据手册PDF