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IAUAN04S7N006AUMA1
IAUAN04S7N006AUMA1
- 描述
- 特性：适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET。 N沟道-增强模式-正常电平。 超出AEC-Q101的扩展认证。 增强型电气测试。 坚固的设计。 最高260℃峰值回流的MSL2a。应用：一般汽车应用
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUAN04S7N006AUMA1
- 商品编号
- C22668212
- 商品封装
- HSOF-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.521429克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 410A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.57mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 179W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@95uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 123nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.36nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.86nF |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
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