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ISC025N08NM5LF2ATMA1
OptiMOs 5线性场效应晶体管2，80 V
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- 描述
- 特性：适用于热插拔、电池保护和电子保险丝应用。 极低的导通电阻RDS(on)。 宽安全工作区SOA。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISC025N08NM5LF2ATMA1
- 商品编号
- C22670494
- 商品封装
- TDSON-8FL
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 198A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 217W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.2nF |
商品概述
3407采用先进的沟槽技术，可在低栅极电荷情况下提供出色的 RDS(on)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 非常适合热插拔、电池保护和电子保险丝应用
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 宽安全工作区SOA
- N沟道,常电平
- 100%雪崩测试
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤
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