- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2ED3146MC12LXUMA1
2ED3146MC12LXUMA1
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- 描述
- 是一款双通道隔离栅极驱动器IC，用于驱动Si MOSFET、IGBT和SiC MOSFET。产品采用14引脚DSO封装，输入到输出爬电距离为8mm，提供加强隔离。所有型号均具备死区时间控制（DTC）功能和独立通道操作，可作为双通道低端驱动器、双通道高端驱动器或半桥栅极驱动器，并可配置死区时间。具有出色的共模瞬态抗扰度（CMTI）、低的器件间传播延迟失配和快速的信号传播，适用于快速开关应用。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- 2ED3146MC12LXUMA1
- 商品编号
- C22505013
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 隔离式栅极驱动器 | |
| 驱动配置 | 半桥；低边；高边 | |
| 负载类型 | MOSFET、IGBT、SiC | |
| 通道数 | 2 | |
| 输入侧工作电压 | 3V~16.5V | |
| 拉电流(IOH) | 6A | |
| 灌电流(IOL) | 6.5A | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 上升时间(tr) | 20ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 20ns | |
| 传播延迟 tpLH | 39ns | |
| 传播延迟 tpHL | 39ns | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 1.67mA | |
| CMTI(kV/us) | 200kV/us | |
| 驱动侧工作电压 | 14V~32V | |
| 功能特性 | 死区时间控制 |
商品概述
EiceDRIVER™ 2ED314xMC12L 系列产品是双通道隔离栅极驱动器集成电路，设计用于驱动硅MOSFET、IGBT和碳化硅MOSFET。所有产品均采用14引脚DSO封装，提供8毫米的输入至输出爬电距离，并具备加强绝缘。所有型号均提供死区时间控制功能和独立的通道操作，使其能够作为双通道低侧驱动器、双通道高侧驱动器或具有可配置死区时间的半桥栅极驱动器使用。凭借出色的共模瞬态抗扰度、低器件间传播延迟失配以及快速的信号传播，这些产品非常适用于快速开关应用。
商品特性
- 双通道隔离栅极驱动器
- 适用于600 V/650 V/1200 V/1700 V/2300 V IGBT、硅和碳化硅MOSFET
- 典型峰值输出电流高达6.5 A
- 39 ns传播延迟，通道间延迟失配为5 ns
- 35 V绝对最大输出电源电压
- 高共模瞬态抗扰度，CMTI > 200 kV/µs
- 主动关断和短路箝位
- 采用无磁芯变压器隔离的栅极驱动器
- 3.3 V和5 V输入电源电压
- 8毫米输入至输出以及3.3毫米通道间爬电距离和电气间隙
- 安全认证：UL 1577（文件号311313），V(150， test) = 6840 V(rms) 持续1 s，V150 = 5700 V(rms) 持续60 s；符合IEC 60747-17的加强绝缘（证书号40055138），V(10RM) = 1767 V（峰值）
应用领域
- 电动汽车充电
- 储能系统
- 太阳能逆变器
- 服务器和电信开关电源
- 不间断电源系统