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SP010N60GDNK
N沟道 耐压:100V 电流:14A
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- 描述
- 中低压SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：100V，电流：14A,Rdson：60mR
- 品牌名称
- Siliup(矽普)
- 商品型号
- SP010N60GDNK
- 商品编号
- C22466821
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1261克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V；70mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 47.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 345pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.8pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品特性
- 快速开关速度
- 可靠且耐用
- 先进的分裂栅沟槽技术
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 电源管理功能
- 工业和电机驱动应用
- DC-DC转换器