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20N50F
1个N沟道 耐压:500V 电流:20A
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- 描述
- 1个N沟道 耐压:500V 电流:20A适用于电源开关和信号控制
- 品牌名称
- GOODWORK(固得沃克)
- 商品型号
- 20N50F
- 商品编号
- C22466471
- 商品封装
- ITO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.944克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 38.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.39nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 465pF |
商品概述
MS60P03是高性能P沟道MOSFET，采用超高密度单元设计，具备低导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，适用于高效率快速开关应用。该器件符合RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 10 A条件下,RDS(导通) = 210 mΩ(典型值)
- 低栅极电荷(典型值50 nC)
- 低Crss(典型值27 pF)
- 100%雪崩测试
- 改善dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-LCD/LED/PDP电视-照明-不间断电源-交流-直流电源