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30N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:27A
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- 描述
- 1个N沟道 耐压:100V 电流:30A适用于电源开关和信号控制
- 品牌名称
- GOODWORK(固得沃克)
- 商品型号
- 30N10
- 商品编号
- C22466472
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.858nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 127pF |
商品概述
该器件为高性能沟槽式P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。它非常适合高效快速开关应用。该器件符合RoHS和绿色产品要求。
商品特性
- 在VGS = -10 V时，RDS(ON) < 70 mΩ
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%保证抗雪崩能力
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 主板/显卡/Vcore
- 负载点（POL）应用
- 开关模式电源（SMPS）二次侧同步整流